静态随机存取存储器（SRAM）是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失。

　　静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM 储存的数据还是会消失（被称为 volatile memory），这与在断电后还能储存资料的 ROM 或闪存是不同的。

　　SRAM 不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而 DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此 SRAM 具有较高的性能，但是 SRAM 也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较 DRAM 大，相同容量的 DRAM 内存可以设计为较小的体积，但是 SRAM 却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的 DRAM，因此 SRAM 显得更贵。

　　SRAM 主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与 DRAM 相比，SRAM 的速度快，但在相同面积中 SRAM 的容量要比其他类型的内存小。

　　SRAM 的速度快但昂贵，一般用小容量的 SRAM 作为更高速 CPU 和较低速 DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM 也有许多种，如 AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步 SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步 SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发 SRAM），还有 INTEL 没有公布细节的 CSRAM 等。

　　基本的 SRAM 的架构如图 1 所示，SRAM 一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM 是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM 不像 DRAM 一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。